FP35R12KT4
技术参数:
• Ic(A),Tc=80℃ 35
• Vce(sat),Max(V) 2.25
• Ton(us) 0.17
• Toff(us) 0.45
• Rth(j-c),K/W 0.72
• Pc(W) 210
• 封装 EconoPIM2
• 电路结构 PIM
声明:各位买家朋友,由于电子产品品种多、季节性很强、流量大,价格浮动也大。买家朋友在购买时请先向卖家咨询确认再下单
性能概要:
• 低电感模块设计
• 高功率密度和可靠性
• 优化的散热铜基板
• 针式
• 低开关损耗
• 高开关频率
• 符合ROHS标准
优点:
• 紧凑型模块
• 优化客户的开发周期和成本
• 配置灵活性
目标应用:
• 电机控制和驱动
• 空调系统
• 感应加热
FP35R12KT4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层,这个附加层被称为电场终止(fieldstop),这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至*小,加上 IGBT3 具有更高电流密度,它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达175℃,运行温度可达150℃。低损耗,FP35R12KT4 IGBT模块具有低EMI噪声,高可靠性,高运行结温等优点。主要应用在100KW光伏逆变器,电机驱动,电源等领域。
2MBI75U4A-120
2MBI75U4A-120
2MBI100U4A-120
2MBI100VA-120-50
2MBI150U4H-120-50
2MBI150VA-120-50
2MBI150VB-120-50
2MBI200U4B-120-50
2MBI200U4H-120-50
2MBI200VB-120-50
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2MBI600VJ-120-50
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FF100R12KS4
FF200R12KS4
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FF100R12KT4
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